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ソリューション


新開発「UltraPoligrind」の特徴

シリコンウェーハの薄化工程における新たなソリューションとして、「UltraPoligrind」(Photo. 1)を開発しました。

◆加工実例

UltraPoligrindは、固定砥粒による超ファイン仕上げ研削により、シリコンウェーハの薄化工程に
おける高いチップ強度と、適度なゲッタリング効果*1を実現した新ホイールです。

*1 ゲッタリング効果とは、Si基板内(バルクもしくは裏面)に、結晶欠陥・歪みなど
(=ゲッタリングサイト)を形成し、このゲッタリングサイトに汚染不純物を捕獲・固着する技術。

Photo. 1 UltraPoligrind

従来より提案している「Poligrind」によるファイン研削と比較し、約半分の深さの破砕層を有する
ことにより、高いチップ強度と、適度なゲッタリング効果を実現します。

UltraPoligrind
Poligrind
Dry Polish
破砕層
深さ
表面
粗さ
Ra: 4.07[nm] 
Rmax: 31.40[nm] 
Ra: 8.92[nm] 
Rmax: 65.01[nm] 
Ra: 0.30[nm] 
Rmax: 6.20[nm] 


球抗折強度において、従来より提案している「Dry Polish」によるストレスリリーフとほぼ同等のMinimum値を達成しています。(Figure. 1)

Figure. 1 抗折強度グラフ




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