ソリューション

SiCの高品質加工

昨年末にリリースされたGS08シリーズを用いたSiCの高品質加工をご紹介します。 SiCウェーハは青色・白色LED用基板として利用されてきましたが、高速動作・低電力損失・高耐電圧・高温動作というメリットから、近年ではパワーデバイスやRFデバイスでの採用が見込まれています。しかし、SiCは非常に硬い物質であり、一般の半導体ウェーハ材料であるSiに比べ研削が非常に難しい素材でした。今回は昨年末にリリースされたグラインディングホイールGS08シリーズを用いて、SiＣウェーハでシリコンウェーハと同等の高品質研削が可能になりましたので、ご紹介します。

◆加工実例

-　研削が難しかったSiCウェーハの高品位研削が可能
従来は研削が困難だったSiCウェーハが、シリコンと同等水準の高品質で加工可能となりました。
-　一軸研削のみでの仕上げ研削が可能
シリコンウェーハのグラインディングでは、一般的に1軸で粗研削、2軸で仕上げ研削という2段階の研削を行っていますが、このたび開発したGS08シリーズでは、1軸のみの研削で仕上げ研削を行う事が可能です。
-　2inch 4枚同時研削可能
-　BG保護テープでの研削可能

◆研削面粗さ
φ3"SiC一枚研削時のウェーハ外周部の面粗さです。一般的なシリコン研削とほぼ同等の高品質研削が可能になっています。

After BG

研削後ウェーハ表面写真

ホイール写真

◆お問合せ

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