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ディスコHOME > ソリューション > アプリケーション実例集 > DBG | |
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Wafer level-CSPのDBG加工(特許出願中） |
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| Wafer level-CSPの多くはSiと樹脂の貼り合わせ構造になっており、樹脂の応力により、ウェーハが大きく反ることがあります。ウェーハの反りが大きい場合、DBGプロセスでの加工が有効です。 |
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◆加工実例 |
反りの大きなウェーハを通常プロセス(グラインディング→ダイシング)で加工すると、ウェーハの薄仕上げ、ハンドリングが困難であったり、加工品質面での不具合(Photo.1,2)が発生しやすくなります。
DBGプロセスでは、研削前に溝入れ加工を実施します。溝入れ加工により、樹脂の応力が解放され、ウェーハの反りを緩和することができます。その結果、通常プロセスで困難だった加工が可能となります。
Wafer level-CSPは樹脂の種類、厚さ、Siの厚さ、ウェーハの反り具合によって、加工性が異なります。Wafer level-CSPの加工でお困りでしたら、お問い合わせください。お客様のデバイスに応じた、加工方法を提案いたします。 |
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◆参考情報
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| DBGプロセス:http://www.disco.co.jp/jp/solution/library/dbg.html
Wafer level-CSPとはダイシング(チップ化)する前のウェーハ状態で、パッケージングを行うプロセスを採用したCSPのことです。 |
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◆お問合せ
この内容に関するお問い合わせは、アプリケーションWebヘルプデスクにて承ります。
( お問い合せの流れ )
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